氮化鋁(AlN)是共價鍵化合物,原子晶體,屬類金剛石氮化物、六方晶系,纖鋅礦型的晶體結構,無毒,呈白色或灰白色,理論密度3.26g/cm3。 | |
氮化鋁材料具有如下特性: | ![]() |
(1)高熱導率 (理論值約320W/m·K); (2)高絕緣性; (3)低熱膨脹系數(4.5×10-6℃)與Si(3.5~4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配; (4)電性能優良(介電常數、介質損耗、體電阻率、介電強度); (5)機械性能好; (6)耐腐蝕性好; (7)光傳輸特性好; |
氮化鋁陶瓷已成為新一代大規模集成電路、半導體模塊及大功率器件的理想的散熱和封裝材料,大量應用于HBLED、UVLED封裝、大功率集成電路、功率模塊、RF射頻/微波通訊、汽車電子、微電子半導體、影像傳輸等領域。
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