無須高溫燒結，無氧化物生成，金屬線路附著性佳 表面平整度高<0.3μm。 線路精準度高，誤差值低于+/- 1% 對位置精準度高 低溫工藝，降低高溫對材料的破壞 信賴性特性佳 鍍層材料穩定度高

1）鋁粉直接氮化法 ALN＋N2→2ALN將鋁粉放入通有氮氣與氨氣的反應的反應爐中加熱到600℃開始反應。我們就能合成大量純度較高的ALN粉，目前有這種方式的大規模生產。但是這種方法一般難以得到顆粒微細、粒度均勻的氮化鋁粉末，通常需要后處理。還有AL顆粒表面氮化后形成ALN層會阻礙氮氣向顆粒的中心的擴散，因此采用這種方法轉化率是一個重要的問題。 2）氧化鋁的碳熱還原法 Al203＋3C＋N2→2AlN＋3CO這種方法目前運用在工業生產中運用最為廣泛，對其研究進行的比較深入。 在該法中制備氮化鋁粉體中常加入氧化鈣、氟化鈣、氧化釔等作為催化劑，其中加氟化鈣更有效的降低活化能，提高反應速率。這種制備的氮化鋁粉末純度高，成形和燒結性能好，但合成溫度高反應時間長，粉末粒度較大。 這邊需要說明下，如果有懂得金絲鍵合工藝的小伙伴就比較清楚，表面較為粗糙的有顆粒狀明顯的氮化鋁，如果使用這類的氮化鋁濺射薄膜金屬，打線時是不太容易鍵合上的，特別是球焊工藝，很容易出現脫焊狀況。

陶瓷基板的成型主要有壓模、干壓和流延成型3種方法。 流延成型類似于攤雞蛋餅，控制刮刀與基帶的間隙就能控制厚度，可以薄至10um以下，厚至1mm以上我們的陶瓷電路基板都是采用的這種方法； 干壓法類似于金屬粉末冶金放入模具中壓鑄成型，適合大塊件； 壓模法就是注塑，可以做成形狀稍復雜的一些結構，如陶瓷插芯采用注塑成型。

(1)機械性能。機械強度，可用作支撐構件;良好的加工性能和高尺寸精度;表面光滑，無微裂紋、彎曲等。 (2)熱性質。導熱系數大，熱膨脹系數與硅、等芯片材料匹配，耐熱性好。 (3)電氣特性。低介電常數、低介電損耗、高絕緣電阻和絕緣損傷，在高溫高濕條件下性能穩定、可靠性高。 (4)其他屬性?；瘜W穩定性好，無吸濕性;耐油和耐化學性;無毒、無污染、射線排放量小;晶體結構穩定，在使用溫度范圍內不易改變。原材料豐富。

一般來說，發光二極管的發光效率和使用壽命會隨著結溫的增加而降低。當結溫達到125時，發光二極管甚至會失效。為了使發光二極管的結溫保持在較低的溫度，需要采用高導熱低熱阻的氮化鋁陶瓷基板材料和合理的封裝工藝來降低發光二極管的整體封裝熱阻。 目前，常用的基底材料包括硅、金屬及金屬合金材料、陶瓷及復合材料等。它們的熱膨脹系數和熱導率如下表所示。其中硅材料成本高;金屬和金屬合金材料的固有導電性和熱膨脹系數與芯片材料不匹配;陶瓷材料難以加工等缺點，均難以同時滿足大功率基板的各種性能要求。 隨著功率發光二極管封裝技術的發展，散熱基板主要有環氧覆銅板、金屬基覆銅板、金屬基復合基板、陶瓷覆銅板等。 環氧樹脂覆銅基板是傳統電子封裝中應用最廣泛的基板。它起三個作用：支撐、傳導和絕緣。其主要特點是：低成本、高吸濕性、低密度、易加工、易于實現精細圖形電路、適合大規模生產等。然而，由于FR-4的基材是環氧樹脂，有機材料導熱系數低，耐高溫性能差，因此不能滿足高密度、大功率發光二極管封裝的要求。通常，FR-4僅用于低功率發光二極管封裝。 金屬基覆銅基板是繼FR-4之后的一種新型基板。它是由高導熱系數的金屬和基體通過導熱粘結材料直接粘結銅箔電路和聚合物絕緣層制成。它的熱導率約為1.12瓦/米克，比FR-4有很大提高。由于其優異的散熱性能，它已成為目前大功率發光二極管散熱基板市場上應用最廣泛的產品。然而，它也有其固有的缺點：聚合物絕緣層的熱導率低，只有0.3w/m.k，這導致熱量不能從芯片直接傳遞到金屬基底。金屬銅和鋁具有大的熱膨脹系數，這可能導致嚴重的熱失配問題。

氮化鋁（AlN）為六方晶型，純AlN呈藍白色，通常為灰色或灰白色。作為一種綜合性能優良的新型陶瓷材料，氮化鋁陶瓷具有優良的熱傳導性，可靠的電絕緣性，低的介電常數和介電損耗，無毒以及與硅相匹配的熱膨脹系數等一系列優良特性，被認為是新一代高集成度半導體基片和電子器件封裝的理想材料。 氮化鋁基板：采用流延成型工藝，生產的產品長寬可達7.5"，可生產0.1mm超薄基板，特殊規格產品或結構件可定制。

近年來，國內外陶瓷材料的研究及開發應用競爭激烈，各有千秋。各汽車制造商為保證所在領域的市場以及地位，都在汽車大燈上面下足了功夫，以保證自家的競爭能力。實現該目標一半將依靠設計外觀改進，包括從透鏡、外殼的形狀等方面。另一半則依靠燈具種類的更替。氙氣燈更換為LED大燈，由于氮化陶瓷基板是汽車LED大燈的核心的材料，故汽車大燈將成為驗證氮化鋁陶瓷基板的先行者。